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准则1：为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT，直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足，并按可能遇到的更低温度考虑。
准则2：要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须间，使能回复至截止状态。在可能的更高运行温度下必须满足上述条件。
准则3：设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。
准则4：为减少杂波吸收，门极连线长度降至更低。返回线直接连至MT1（或阴极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H系列低灵敏度双向可控硅。
规则5：若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题，在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题，加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法，采用Hi-Com双向可控硅。
准则6：假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出，采用下列措施之一：负载上串联电感量为几μH的不饱和电感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于电源，并在电源侧增加滤波电路。
准则7：选用好的门极触发电路，避开3+象限工况，可以更大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。
准则8：若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出，负载上更好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法：对电阻性负载采用零电压导通。
准则9：器件固定到散热器时，避免让双向可控硅受到应力。固定，然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。
准则10：为了长期可靠工作，应保证Rthj-a足够低，维持Tj不高于Tjmax，其值相应于可能的更高环境温度。
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