0511-86212086
1 GB/T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法
The rule of type designation for discrete semiconductor devices
2 GB/T 4024-1983 半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法
Measuring methods for semiconductor device--Reverse blocking triode thyratron
3 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分: 场效应晶体管
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8: Field-effect transistors
4 GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分: 双极型晶体管
Semiconductor discrete devices and integrated circuits--Part 7: Bipolar transistors
5 GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范 （可供认证用）
Semiconductor devices-Generic specification for discrete devices and
integrated circuits
6 GB/T 4619-1996 液晶显示器件测试方法
Measuring methods for liquid crystal display devices
7 GB/T 4654-1984 碳化硅、锆英砂、陶瓷类红外辐射加热器通用技术条件
The general technical specifications on silicon carbide and zircon
ceramic infrared heater
8 GB/T 4799-1984 气体激光器型号命名方法
The denominating method of type for gas lasers
9 GB/T 4931-1985 氦氖激光器系列型谱
The series and type spectrum for helium neon lasers
10 GB/T 4932-1985 二氧化碳激光器系列型谱
The series and type spectrum for carbon dioxide lasers
11 GB/T 4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法
Mechanical and climatic test methods for semiconductor devices
12 GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性
Acceptance and reliability for discrete semiconductor devices
13 GB/T 4939-1985 普通整流管
Rectifier diodes for general purpose
14 GB/T 4940-1985 普通晶闸管
Triode thyristors for general purpose
15 GB/T 6218-1996 开关用双极型晶体管空白详细规范
Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
16 GB/T 6256-1986 工业加热三极管空白详细规范 （可供认证用）
Blank detail specification for industrial heating triodes
17 GB/T 6570-1986 微波二极管测试方法
Measuring methods for microwave diodes
18 GB/T 6571-1995 半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 3: Signal（including switching）and regulator diodes
19 GB/T 6588-1986 通用信号和（或）开关半导体二极管空白详细规范 （可供认证用）
Blank detail specification for general purpose signal and/or switching
semiconductor diodes
20 GB/T 6589-1986 电压调整和电压基准二极管 （包括温度补尝精密基准二极管）
空白详细规范 （可供认证用）
Blank detail specification for volt age regulator diodes and voltage
reference diodes， excluding temperature compensated precision reference
diodes
21 GB/T 7577-1996 低频放大管壳额定的双极型晶体管空白详细规范
Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for
low-frequency amplification
22 GB/T 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸
Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices
23 GB/T 9436-1988 液晶显示器件参数符号
Letter symbols of parameter for liquid crystal display devices
24 GB/T 11153-1989 激光小功率计性能检测方法
Parameters testing method of laser power meter in low range
25 GB/T 12300-1990 功率晶体管安全工作区测试方法
Test methods of safe operating area for power transistors
26 GB/T 12560-1990 半导体器件 分立器件分规范 （可供认证用）
Semiconductor devices-Sectional specification for discrete devices
27 GB/T 12561-1990 发光二极管空白详细规范 （可供认证用）
Blank detail specification for light emitting diodes
28 GB/T 12562-1990 PIN 二极管空白详细规范 （可供认证用）
Blank detail specification for PIN diodes
29 GB/T 12848-1991 扭曲向列型液晶显示器件总规范 （可供认证用）
Generic specification of twisted nematic liquid crystal display devices
30 GB/T 12849-1991 钟、表用扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范
（可供认证用）
Blank detail specification of twisted nematic liquid crystal
displays for watches
31 GB/T 12850-1991 计算器用扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范
（可供认证用）
Blank detail specification of twisted nematic liquid crystal displays
for calculators
32 GB/T 12851-1991 仪器、仪表用扭曲向列型液晶显示器件空白详细规范
（可供认证用）
Blank detail specification of twisted nematic liquid crystal displays
for instruments
33 GB/T 13063-1991 电流调整和电流基准二极管空白详细规范
Blank detail specification for current-regulator and current-reference
diodes 34 GB/T 13066-1991 单结晶体管空白详细规范
Blank detail specification for unijunction transistors
35 GB/T 14078-1993 氦氖激光器技术条件
He-Ne laser specification
36 GB/T 14116-1993 彩色液晶显示器件的光度和色度的测试方法
Photomentric and colorimetric methods of measurement of color liquid
crystal displays
37 GB/T 14117-1993 彩色液晶显示器件空白详细规范 （可供认证用）
Blank detail specification of color liquid crystal displays
38 GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层
中净载流子浓度的标准方法
Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by
voltage-capacitance of gated and ungated diodes
39 GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范
Blank detail specification for gunn diodes
40 GB/T 15167-1994 半导体激光光源总规范
General specification for light source of semiconductor lasers
41 GB/T 15177-1994 微波检波、混频二极管 空白详细规范
Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes
42 GB/T 15178-1994 变容二极管空白详细规范
Blank detail specification for variable capacitance diodes
43 GB/T 15449-1995 管壳额定开关用场效应晶体管 空白详细规范
Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated
swatching application
44 GB/T 15450-1995 硅双栅场效应晶体管 空白详细规范
Blank detail specification for silicon dual-gate field-effect transistors
45 GB/T 15529-1995 半导体发光数码管空白详细规范
Blank detail specification for LED numeric displays
46 GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范
Blank detail specification for semiconductor laser diodes
47 GB/T 15651-1995 半导体器件 分立器件和集成电路 第5部分:光电子器件
Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 5: Optoelectronic devices
48 GB/T 15655-1995 超扭曲向列型液晶显示器件分规范
Sectional specification for super-twisted nematic liquid crystal display
devices 49 GB/T 15656-1995 超扭曲向列型液晶显示器件 空白详细规范
Blank detail specification of super-twisted nematic liquid crystal display
devices 50 GB/T 16468-1996 静电感应晶体管系列型谱
Series programmes for static induction transistors
51 GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分: 整流二极管
Semiconductor devices--Discrete devices and integrated circuits--Part 2: Rectifier diodes
52 GB/T 6351-1998 半导体器件 分立器件 第2部分: 整流二极管 首篇 100A以下
环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 2: Rectifier diodes Section One-Blank detail specification for rectifier diodes（including avalanche recti-fier diodes）1， ambient and case-rated，up to 100A
53 GB/T 6352-1998 半导体器件 分立器件 第6部分: 闸流晶体管 首篇 100A以下
环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 Semiconductor devices Discrete devices Part 6: Thyristors Section One-Blank detail specification for reverse blocking
triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A
54 GB/T 6590-1998 半导体器件 分立器件 第6部分: 闸流晶体管 第二篇 100A以下
环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 Semiconductor devices Discrete devices Part 6: Thyristors Section Two-Blank detail specification for bidirectional triode
thyristors（triacs），ambient or case-rated，up to 100A
55 GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分: 双极型晶体管 首篇 高低频放
大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 Semiconductor Devices Discrete
devices Part Bipolar transistors Section One-Blank detail specification
for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency
amplification 56 GB/T 7576-1998 半导体器件 分立器件 第7部分: 双极型晶体管
第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 Semiconductor devices Discrete devices Part 7: Bipolar transistors Section Four-Blank detail specification for case-rated
bipolar transistors for high-frequency amplification
57 GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分: 场效应晶体管 首篇 1GHz、
5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范 Semiconductor devices Discrete devices Part 8: Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for
singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
58 GB/T 17573-1998 半导体器件 分立器件和集成电路
第1部分: 总则 Semiconductor devices Discrete devices and integrated circuits
